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PBSS5160U中文资料

PBSS5160U图片

PBSS5160U外观图

  • 大小:127.47KB
  • 厂家:nxp
  • 描述:60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
  • 安装类型:表面贴装
  • 宽度:1.35mm
  • 封装类型:UMT
  • 尺寸:1 x 2.2 x 1.35mm
  • 引脚数目:3
  • 晶体管类型:PNP
  • 最低工作温度:-65 °C
  • 最大功率耗散:415 mW
  • 最大发射极-基极电压:5 V
  • 最大基极-发射极饱和电压:1.1 V
  • 最大直流集电极电流:1 A
  • 最大集电极-发射极电压:60 V
  • 最大集电极-发射极饱和电压:0.34 V
  • 最大集电极-基极电压:80 V
  • 最小直流电流增益:100 V
  • 最高工作温度:+150 °C
  • 最高工作频率:185 MHz
  • 每片芯片元件数目:1
  • 类别:双极小信号
  • 配置:单
  • 长度:2.2mm
  • 高度:1mm

PBSS5160U供应商

更新时间:2022-12-31 19:09:32
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